全球存储芯片市场正进入新一轮供需紧张周期。随着人工智能（AI）基础设施投资持续增长，服务器内存及高带宽内存（HBM）需求快速攀升，而晶圆厂扩产受制于厂房空间和设备供应，存储芯片价格上涨趋势可能延续至2028年。
高盛10月27日举行存储行业专家网络研讨会。市场研究机构TrendForce专家指出，全球DRAM供应预计将在2027年持续紧张，价格上涨周期可能延续至2028年上半年。与此同时，HBM市场有望迎来显著增长，2027年混合平均售价预计同比上涨122%，推动行业收入突破2000亿美元。
DRAM供需持续紧张，涨价周期或延续至2028年
TrendForce认为，服务器市场需求旺盛与存储芯片供应增长有限，将成为未来几个季度推动DRAM价格上涨的主要因素。
尽管个人电脑、智能手机等消费电子市场需求相对疲软，但人工智能服务器及数据中心持续扩大内存采购规模，预计仍将支撑DRAM整体价格走势。
长期供货协议或限制部分涨幅
目前，DRAM长期协议（LTA）覆盖率约为60%至70%。TrendForce预计，这类协议可能使2027年的价格涨幅相对温和。
不过，超出协议约定数量的新增采购需求，仍可能通过重新议价以更高价格成交。
因此，即使长期协议对部分交易价格形成约束，整体市场定价仍存在进一步上涨空间。
TrendForce据此判断，DRAM价格上涨周期可能持续至2028年上半年，时间长于部分市场参与者此前的预期。
HBM价格预计大幅上涨，2027年市场收入或突破2000亿美元
人工智能计算需求增长正在改变全球存储芯片市场结构，其中高带宽内存成为主要增长领域。
TrendForce预计，2027年HBM混合平均售价将同比上涨122%，达到每Gb约3.7美元，推动全球HBM行业收入同比增长超过230%，突破2000亿美元。
HBM4高端产品溢价明显
不同规格HBM产品之间的价格差异预计将进一步扩大。
TrendForce预测，高端HBM4产品报价可能超过每GB 5美元，低端产品则接近每GB 3美元。
其中，8层堆叠HBM4由于单位内存基础芯片成本较高，其每比特价格预计比12层堆叠产品高出5%至10%。
下一代HBM4E的售价则可能明显高于HBM4。
按照TrendForce预测，HBM4预计将贡献2027年全球HBM行业近60%的收入。
高盛表示，这一判断与其自身预测基本一致。该行预计，主要供应商2027年的HBM平均售价同比涨幅将在100%至160%之间。
洁净室与设备交付限制扩产，新增产能难以迅速释放
虽然三星电子、SK海力士等主要存储芯片制造商正在推进资本支出和产能扩张计划，但短期供应瓶颈仍难以解决。
TrendForce指出，晶圆厂洁净室空间不足，以及半导体制造设备交货周期较长，是限制DRAM产能增长的两大结构性因素。
新增晶圆产能预计2028年才会明显贡献供应
TrendForce预计，韩国主要存储芯片制造商2027年每家可增加约8万至10万片的月度晶圆产能。
不过，三星电子新增产能预计将主要用于HBM生产，传统DRAM供应增长则更多依赖先进制造工艺升级。
半导体设备供应预计从2027年下半年开始逐步改善，但新建晶圆厂对整体供应的实质性贡献可能要到2028年才会显现。
此外，存储芯片制造商也可能根据市场需求变化，主动调整扩产速度，以维持供需平衡。
谷歌TPU需求增长，推动HBM市场多代产品并行发展
除英伟达相关AI计算平台外，谷歌自主研发的张量处理器（TPU）也正在成为HBM需求的重要推动因素。
TrendForce指出，随着谷歌数据中心持续扩大TPU部署规模，HBM3E产品在2027年仍有望获得稳定需求支持。
这意味着HBM市场不会完全转向HBM4和HBM4E，而可能形成不同技术世代产品并行供应的格局。
高盛维持三星电子与SK海力士买入评级
在存储芯片价格上涨及AI需求持续增长的背景下，高盛继续看好韩国主要存储芯片制造商。
高盛重申三星电子普通股及优先股的买入评级，12个月目标价分别为50万韩元和38万韩元，估值采用基于2026年至2027年预期企业价值与息税折旧摊销前利润比率（EV/EBITDA）的分类加总法（SOTP）。
对于SK海力士，高盛同样维持买入评级，目标价为350万韩元，采用2026年至2027年平均预期市盈率估值，对应9倍目标市盈率。
存储芯片行业供需格局或继续利好头部厂商
总体来看，人工智能基础设施建设正持续推高高性能存储芯片需求，而新增产能释放速度相对缓慢，可能使全球DRAM及HBM市场在未来数年维持供应紧张状态。
如果TrendForce的预测实现，三星电子、SK海力士等拥有先进制造技术和HBM供应能力的企业，有望继续受益于价格上涨及产品结构升级。不过，最终市场表现仍取决于AI投资规模、实际产能释放进度及下游需求变化。
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